规格书 |
|
文档 |
Plating Material 20/Dec/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 150 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 75A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 16 mOhm @ 75A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 480nC @ 20V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 7690pF @ 25V |
功率 - 最大 | 500W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |
包装材料 | Tube |
HUF75852G3也可以通过以下分类找到
HUF75852G3相关搜索